场效应管参数

时间:2024-06-23 21:34:20编辑:分享君

场效应管型号

IRFU020、IRFPG42、IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(juncTIonFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。


场效应管 参数 型号 标识 问题

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场效应管8N60C的参数及代换

场效应管8N60C的参数是:10A,600V,可以用SSS7N60B,T2SK2545(2SK3562),IRFBC40,STP8NK60ZFP进行代换。场效应管代换只需大小相同,分清N沟道P沟道即可,功率大的可以代换功率小的,一般情况下都用同样型号的进行代换,避免其他的问题。扩展资料场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。参考资料来源:百度百科-场效应管参考资料来源:百度百科-FQPF8N60C

场效应管8n60c用12n60Pc代换?

场效应管8n60c用12n60Pc代换?不能,因为8n60参数是电流8A,电压600v,而12n60参数是电流12A电压600,前者电流太小,使用容量发热击穿,所以不能替换。不能,因为8n60参数是电流8A,电压600v,而12n60参数是电流12A电压600,前者电流太小,使用容量发热击穿,所以不能替换。【摘要】
场效应管8n60c用12n60Pc代换?【提问】
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场效应管的型号有多少?

IRFU020、IRFPG42、IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(juncTIonFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。


K2645场效应管参数是什么?

场效应管参数是:N一M0SFET/耐压600V/电流9A/功率50W/。可以替换的如下:K2645:600V,1.2Ω,9A,50WK2141:600V,1.1Ω,6A,35WK3326:500V,0.85Ω,10A,40WK1388:30V,0.022Ω,35A,60WK1101:450V,0.5Ω,10A,50W场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。组成:由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor,简写成FET。历史:场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明,但是实用的器件一直到1952年才被制造出来(结型场效应管)。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管,从而大部分代替了JFET,对电子行业的发展有着深远的意义。

贴片场效应管,主要参数看什么?

1、封装--首先,封装要选得对,要是封装不对最好的管子都没用。
2、耐压(最大工作电压VDSS),VDSS不是越大越好,一般=工作电压×2就够。
3、最大工作电流(ID),ID一般比实际工作电流大一些为好(2倍以上)。
4、SD导通正向压降(VSD)越小越好,大了容易发热。。(一般耐压越高的管子,VGD就越大)
5、栅极阈值电压(VGS),即栅极有效控制电压。(一般耐压越高的管子,VGS就越高)
6、SD导通电阻(RDS),RDS越小越好,RDS与VSD成正比。


求25N120场效应管参数

作为1200V25A的场效应管一般导通电阻最大也就是几个欧姆,一般门限电压在20V左右,使用一般在15v以下,至于所谓功率是在最大工作电流的时候管子本身耗散的热功率。这些指标都是不可超越的。使用技术不精是是损坏管子的最大危险。一般是需要低电位{0V}关断,反压是可以加快关断速度减少关断时间。但是关断太快,电感负载产生的反压也更大,保护管子的措施也是需要越完善。扩展资料:场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

场效应管4n25的参数

基本参数:ME04N25-G,SOT-252,松木,SMD/MOS,N场,250V,3.3A,1.8Ω详细参数:品牌:松木型号:ME04N25-G种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方版式:增强型用途:S/开关封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道扩展资料:4N25的应用电路设计实例:作为一款通用光电耦合器,4N25包含一个砷化镓红外发光二极管,并用该二极管驱动硅光电晶体管。4N25的封装类型是6脚双列直插封装。交流48V电源后面加整流全桥并配合电容滤波+6K左右限流电知阻后接入4N25发光二级管(注意极性)。后面的24V直流电可直接道接入输出端。输出端耐压30V(注意极性)。管脚输入端可以当做发光二极管用,1脚接整流后的正极,2脚接负。输出端当做三极管使用,6脚当基极,4脚是射极,5脚是极电极。

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