两个三极管组成的自激开关电源一个是13003，一个是s8050两个都是npn三极管，两个参数和作用
三极管在电路里面的作用应该看图说话。
两个管子的参数如下：
制造商零件编号: C13003
材料: Si
晶体管极性: NPN
最大耗散功率 (Pc): 40
集电极--基极击穿电压 (Ucb): 600
集电极--发射极击穿电压 (Uce): 400
发射极--基极击穿电压 (Ueb): 9
最大集电极电流 (Ic): 1.5
最大工作温度 (Tj), °C: 150
最大工作频率 (ft): 4
输出电容 (Cc), pF: 21
直流电流增益 (hfe): 4
封装形式: TO-126
制造商零件编号: S8050
材料: Si
晶体管极性: NPN
最大耗散功率 (Pc): 0.3
集电极--基极击穿电压 (Ucb): 40
集电极--发射极击穿电压 (Uce): 25
发射极--基极击穿电压 (Ueb): 5
最大集电极电流 (Ic): 0.5
最大工作温度 (Tj), °C: 150
最大工作频率 (ft): 150
输出电容 (Cc), pF:
直流电流增益 (hfe): 120
封装形式: SOT23
电子镇流器中的三极管13003BR，它的三个管脚是如何排列的，在电路中起什么作用？越详细越好，谢谢啦。
2个三极管组成振荡开关电路工作原理为：当电源刚刚接通时，300伏直流电压经R1,R2,C2构成回路，C2两端没有电压，三极管Q2截止。Q1也截止。同时，直流电压经过R1,R2分压经变压器的原边2，1端和扼流圈L2,L2~以及2个灯管的灯丝、C5,C5~和上面的灯丝到电源正端构成回路，预热灯丝。R2,C2同时有2个电流流向负极。 然后，C2的电压上升到使DB触发二极管导通，给三极管Q2基极提供电流，Q2导通。 Q2导通后，R2C2放电到约等于0，灯丝回路向Q1送电，Q1具备导通条件，Q2截止。同时，变压器副边的极性使Q1Q2的导通、截止起到助力作用，电路就此震荡起来。当灯丝热到一定程度，内阻下降辉光放电，使得高频扼流圈与电容的谐震回路由谐振变为失谐，电压下降，电流增加，维持灯管发光。
请教一下13003这个三极管的参数
一、13003参数:芯片面积：1.63×1.63（特制芯片）；额定电流：1.5 A（加大电流品种）；饱和压降低、热性能好；反向击穿电压高、漏电流小；N型硅单晶三重扩散平面工艺制作。 二、三极管的简单介绍： 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三极管13003代换问题？
可以。晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型MJE13003 400V 1.5A 14W * * NPN MJE13004 300V 4A 75W TO220 SI-NMJE13005 400V 4A 60W * * NPN MJE13005 300V 8A 75W SI-NMJE13007 1500V 2.5A 60W * * NPN MJE13007 400V 8A 80W SI-NMJE13009 400V 12A 100W SI-N看看参数就明白了三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管G13003主要参数：集电极-基极电压VCBO 700 V集电极-发射极电压VCEO 400 V发射极-基极电压VEBO 9V集电极电流IC 2.0 A集电极耗散功率PC 40 W可以用3DK55、MJE13003/13005代换。
在电路中如何判断三极管S13003T坏了
三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。
一、 三颠倒，找基极
大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电
路。由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反
向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电
阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。
二、 PN结，定管型
找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
三、 顺箭头，偏转大
找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法
确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒
测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一
次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中
的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。
(2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c(参看图1、图3可知)。
四、 测不出，动嘴巴
若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要
“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合
部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射
极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。
三极管13005的参数有哪些？
13005是NPN型高反压开关三极管。主要参数：VCBO：700V ；VCEO：400V；VEBO：9V；ICM：5A；PCM：75W。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
下面的情况用三极管13003代换可不可行？
可以。晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型MJE13003 400V 1.5A 14W * * NPN MJE13004 300V 4A 75W TO220 SI-NMJE13005 400V 4A 60W * * NPN MJE13005 300V 8A 75W SI-NMJE13007 1500V 2.5A 60W * * NPN MJE13007 400V 8A 80W SI-NMJE13009 400V 12A 100W SI-N看看参数就明白了三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管G13003主要参数：集电极-基极电压VCBO 700 V集电极-发射极电压VCEO 400 V发射极-基极电压VEBO 9V集电极电流IC 2.0 A集电极耗散功率PC 40 W可以用3DK55、MJE13003/13005代换。
三极管13001坏了可以用13003替换吗？
三极管13001坏了，可以用13003替换。
两者的参数对比如下：
13001主要参数：
集电极-基极最高耐压VCBO=500V
集电极-发射极最高耐压VCEO=400V
发射极-基极最高耐压VEBO=9V
集电极电流IC=0.3A
耗散功率PC=7W
13003主要参数：
集电极-基极电压VCBO 700 V
集电极-发射极电压VCEO 400 V
发射极-基极电压VEBO 9V
集电极电流IC 2.0 A
集电极耗散功率PC 40 W
通过对比会发现，13003可以替换13001，而13001不能替换13003。非要换的话，后果就是换上一通电就炸裂。还有可能损坏后面的元器件。
