什么是商业教育？
商业教育：商业顾问以“一对多”的方式进行商业咨询，从而达到帮助商业人士解决商业发展问题的目的。
顾问式商业教育：更加强调商业咨询的“落地性”和解决商业问题的“能效性”。
O2O顾问式商业教育：采用线上录播、线上直播、线上资讯、线下课堂、线下面对面、线下会议、线下活动的方式，完成更加落地、更加便捷的商业教育。
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光刻曝光技术的主要流程是什么？每个步骤的意义都是什么？
光刻工艺主要步骤
1. 基片前处理
为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴，形成平滑且结合得很好的膜，必须进行表面准备，保持表面干燥且干净，
2. 涂光刻胶
涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。
3. 前烘(软烘焙)
前烘的目的是去除胶层内的溶剂，提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。
4. 对准和曝光(A＆E)
保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的准确对准，以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成。所以，涂好光刻胶后，第一步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准。第二步是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上。
5. 显影
显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。
6. 后烘(坚膜)
经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀，胶膜与硅片表面粘附力下降。为了保证下一道刻蚀工序能顺利进行，使光刻胶和晶圆表面更好地粘结，必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶。
7. 刻蚀
刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺，主要目标是将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面。
8. 去除光刻胶
刻蚀之后，图案成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了，必须从表面去掉。
中国有光刻机技术吗?
中国有了自己的光刻机，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。这是世界上第一台利用紫外光实现22nm分辨率的超分辨率光刻设备，为纳米光学加工提供了全新的解决方案。在光电所的努力下，我国的R&D光刻机跳出了通过减小波长、增加数值孔径来提高分辨率的老路，为突破22nm甚至10nm光刻节点提供了全新的技术，也为超分辨率光刻设备提供了理论基础。扩展信息:利用超分辨率光刻设备，项目组为航天科技集团第八研究院、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、电子科技大学、四川大学华西第二医院、重庆大学等单位制备了一系列纳米功能器件。包括大口径薄膜反射镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射装置、生化传感器芯片、超表面成像装置等。验证了超分辨光刻设备纳米功能器件加工能力，达到了实用化水平。
光刻机技术到底是谁发明的?
光刻机技术是法国人Nicephore Niepce发明的。在早期阶段其功能简单，而且使用的材料也是较为粗糙的，通过材料光照实验发现能够复制一种刻着在油纸上的印痕，而在其出现在玻璃片上后，经过一段时间的日晒，其透光部分的沥青就会变得很硬，但在不透光部分则可以用松香和植物油将其洗掉。尽管光刻机发明的时间较早，不过在其发明之后，并没有在各行业领域之中被使用，直到第2次世界大战时，该技术应用于印刷电路板，所使用的材料和早期发明时使用的材料也已经有了极大区别。在塑料板上通过铜线路制作，让电路板得以普及，短期之内就成为了众多电子设备领域中最为关键的材料之一。光刻机性能指标：光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。
