赵建华（研究员）的个人简介
赵建华，女，博士生导师，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员。简介
1985年、1988年在 吉林大学物理系固体物理专业获理学学士、硕士学位，于1999年在中科院物理所凝聚态物理专业获理学博士学位。1988至1996年于燕山大学任讲师、副教授。2000年在中科院半导体所博士后出站后进入 日本东北大学电气通信研究所Hideo Ohno教授实验室做博士后，2002年9月至今在中科院半导体所 半导体超晶格国家重点实验室工作，任研究员。
2000年以来主要从事半导体自旋电子学研究工作，具体进行磁性半导体、半金属、铁磁金属及其异质结构的分子束外延生长；半导体磁性量子结构自旋调控；半导体自旋电子器件设计及其物理原理研究。带领其研究团队取得了多项重要的前沿性成果，部分成果进入国际先进行列。例如，制备出高质量的(Ga,Mn)As 磁性半导体薄膜，两次刷新其居里温度的国际纪录，2011年达到200K，迄今仍居国际领先位置；利用Co FeAl与(Ga,Mn)As双层膜界面处的磁近邻效应将界面处(Ga,Mn)As层中厚度约1.6 nm薄层中的Mn离子的铁磁有序保持到400K；在GaAs上制备出了高质量具有超大垂直磁各向异性 1 相Mn Ga单晶薄膜，该类不含贵金属和稀土的薄膜在制备高热稳定性、抗电磁干扰的半导体自旋电子器件方面具有较大潜力；国际上率先利用Ga液滴自催化方法Si上生长出全闪锌矿结构GaAs/(Ga,Mn)As核-壳同轴纳米线等。
2004年以来在 半导体自旋电子学方面的国际会议上做邀请报告25次，与美国、德国、法国和日本等国家的多个半导体自旋电子学领域著名实验室保持着密切合作的关系。迄今以第一作者、通讯作者和合作者身份在国内外著名刊物上发表论文120 篇。其中PRL 1 篇，Nano Lett. 3 篇，Adv. Mater. 1 篇，APL 17 篇，PRB 3篇，邀请综述 4 篇，邀请专著 1 章。SCI 引用600余次，单篇引用最高163 次。申请专利7 项，授权专利4 项。曾获2000年国家技术发明二等奖等多项省部级奖励。培养的研究生曾获国家奖学金、中科院院长奖学金优秀奖、美国超导奖学金、北京市优秀毕业生、中科院三好学生标兵等奖项。
现任中国物理学会磁学专业委员会委员，英国皇家物理学会出版社主办的国际期刊《Semiconductor Science and Technology》编委，APL、JAP、CPL和中国科学等国内外核心期刊审稿人。曾任固态器件与材料国际会议（SSDM2010-2012）自旋分会副主席（日本），2011 MMM （美国）、4th WUN（澳洲）、3rd WUN (美国)、37th 和40th ISCS (日本)、 ICMFS 2012（中国）等国际会议组委会委员。
主要研究方向为半导体自旋电子学，具体进行高品质磁性半导体、半金属、铁磁金属及其异质结构的分子束外延生长和自旋相关物理性质研究；半导体磁性量子结构自旋调控；新一代高性能半导体自旋电子器件研发。
在研/完成主要项目
(1) 国家自然科学基金重点项目“新型半导体基垂直磁各向异性材料及器件” （2014-2018，主持）
(2) 国家自然科学基金专项基金项目“基于超导量子干涉仪的磁学和电学性质同步测量系统研制” （2012-2015，主持）
(3) 国家重大科学研究计划量子调控项目课题“基于铁磁体/半导体异质结构的自旋量子器件”（2013-2017，参加。）
(4) 国家自然科学基金重大国际(中美)合作研究项目 “半导体/铁磁体异质纳米结构的磁性质及依赖于自旋的电学性质” （2010-2012，主持）
(5) 国家自然科学基金重点项目 “高品质半导体自旋电子材料制备及其自旋量子调控”（2009-2012，主持）
(6) 国家重大科学研究计划项目 "半导体量子结构中的自旋量子调控" 课题"高品质半导体磁性异质结构分子束外延生长和磁性研究"（2007-2011，主持）
(7) 中科院知识创新工程三期重要方向项目"半导体自旋量子结构中的器件物理效应" （2007-2010， 主持）
(8) 国家自然科学基金重点项目："磁性半导体、半金属及其异质结构的生长制备和自旋相关现象的研究" （2004-2008，主持）
代表性论文目录
(1) S. H. Nie, Y. Y. Chin,W. Q. Liu, J. C. Tung, J. Lu, H. J. Lin,G. Y. Guo*, K. K. Meng, L. Chen,L. J. Zhu,D. Pan,C. T. Chen,Y. B. Xu, W. S. Yan,and J. H. Zhao*, erromagnetic Interfacial Interaction and the Proximity Effect in a Co2FeAl/(Ga,Mn)As Bilayer, Phys. Rev. Lett. 111 (2013) 027203
(2) X. Z. Yu, H. L. Wang, D. Pan, J. H. Zhao*, J. Misuraca, S. von Molnár, and P. Xiong, All zinc-blende GaAs/(Ga,Mn)As core-shell nanowires with ferromagnetic ordering, Nano Lett., 13 (2013) 1572
(3) L. J. Zhu, and J. H. Zhao*, Perpendicularly magnetized Mn Ga films: promising material for future spintronic devices, magnetic recording and permanent magnets, Appl. Phys. A 111 (2013) 379 ( invited review)
(4) L. J. Zhu , S. H. Nie , K. K. Meng , D. Pan , J. H. Zhao* and H. Z. Zheng, Multifunctional 1 -Mn Ga Films with Ultrahigh Coercivity, Giant Perpendicular Magnetocrystalline Anisotropy and Large Magnetic Energy Product, Adv. Mater. 24 (2012) 4547
(5) X. Z. Yu, H. L. Wang, J. Lu, J. H. Zhao*, J. Misuraca, P. Xiong, and S. von Molnár, Evidence for Structural Phase Transitions Induced by the Triple Phase Line Shift in Self-Catalyzed GaAs Nanowires, Nano Lett., 12 ( 2012) 5435
(6) L. Chen, X. Yang, F.H. Yang, J.H. Zhao*, J. Misuraca, P. Xiong, and S. von Molnár, Enhancing the Curie Temperature of Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As to 200 K via Nanostructure Engineering, Nano Lett., 11 ( 2011) 2584
(7) K. K. Meng, S. L. Wang, P. F. Xu, L. Chen, W. S. Yan and J. H. Zhao*, Magnetic properties of full-Heusler alloy Co Fe Mn Al films grown by molecular-beam epitaxy, ., 97 (2010) 232506
(8) K. K. Meng, J. Lu, S. L. Wang, H. J. Meng, J. H. Zhao*, J. Misuraca, P. Xiong, and S. von Molnár, Magnetic anisotropies of laterally confined structures of epitaxial Fe films on GaAs (001), Appl. Phys. Lett, 97 (2010) 072503
(9) P. F. Xu, S. H. Nie, K. K. Meng, S. L. Wang, L. Chen, and J. H. Zhao*, Co doping enhanced giant magnetocaloric effect in Mn Co As films epitaxied on GaAs (001), Appl. Phys. Lett., 97 (2010) 042502
(10) L. Chen, S. Yan, P. F. Xu, J. Lu, W. Z. Wang, J. J. Deng, X. Qian, Y. Ji, and J. H. Zhao*, Low-temperature magnetotransport behaviors of heavily Mn-doped (Ga,Mn)As films with high ferromagnetic transition temperature, Appl. Phys. Lett., 95 (2009) 182505
