光电子行业发展现状如何写
近年来，中国光电子器件制造行业实现了较快发展。在光通信、光显示等应用领域需求不断扩大的刺激下，产品产量有所突破，2010年中国光电子器件产量突破1100亿只。行业整体技术水平得到进一步提升，与国际上发达国家的差距正在逐渐缩小;并逐渐涌现出一批如武汉光讯、华工科技、京东方等具有较强竞争力的领先企业。 前瞻产业研究院发布的《中国光电子器件制造行业产销需求与投资预测分析报告前瞻》显示，在举得可喜成绩的同时，也应当看到中国光电子器件制造行业仍与先进国家存在一定差距，国内部分厂商仍未摆脱依靠低成本竞争、或成为没有核心技术和自主品牌的OEM工厂的局面，国内稍有规模或技术优势的企业，都面临着被跨国公司兼并的危机。 尤其是跨入21世纪以来，跨国公司在华投资建厂或兼并收购等活动更加频繁，如Neophotonis公司兼并收购深圳飞通公司、MRV Communications公司兼并收购飞博创公司等。同时，跨国公司的不断进入，加剧了行业的竞争激烈程度。 “十二五”期间，我国电信业整体投资将达到2万亿元，其中宽带将成为发展重点，这将为光通信行业未来五年的发展提供强大保障，进而带动光电子器件制造行业的较快发展。 另外，随着人民生活水平的不断提高和国家对电力行业的大力投入，固态照明、平板显示、光伏发电等主要应用领域也将迎来难得发展机遇。以光伏发电为例，根据《“十二五”可再生能源发展规划》，“十二五”光伏发电装机总量目标较原计划翻了一番，达到10吉瓦。 因此，在下游市场需求持续扩大的刺激下，“十二五”期间中国光电子器件制造行业将保持较快发展。 前瞻产业研究院光电子器件制造行业研究小组认为，未来，随着通信技术升级，全球分工与制造中心不断向中国转移，以及国家政策的大力扶持，行业整体技术创新能力将得到进一步增强，产业结构将不断调整，有助于中国光电子器件制造行业的健康、持续发展。
“光电器件及其应用”的发展、前景、市场、技术
21世纪前期，半导体异质结构和量子结构材料仍将是光电功能材料研发的主流。以硅材料为主体、化合物半导体材料及新一代高温半导体材料共同发展的局面在21世纪将成为集成电路产业发展的主流。低维量子微结构外延材料，如纳米尺寸的量子线和量子点材料等，由于具有常规材料不具有的量子效应，可用于制作功率更高、性能更加优异的纳米器件。GaN、SiG、ZnO和金刚石等高温宽带隙半导体材料以及用这些材料所制备的器件，具有耐高温、抗辐射、抗干扰等优点。这些器件在光电子、微电子及大功率电力电子领域的应用更加广泛。
