工程电磁场的内容简介
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工程电磁场
这是第二题的另一个思路，您也可以看一下由于两块导体平行且长度无限，根据对称性和安培环路定理，可以得到沿z轴方向的磁场强度H的分布情况如下：当|z|2)时，有H = (Ko/4)*(e^x-e^-x)当|z|>(d/2)时，有H = -(Ko/4)(e^x-e^-x)，其中x = 2π*y/a将上述式子代入单位制中的安培环路公式可以求出在任何位置z处的磁场强度H。对于第二个问题，由于两块导体之间存在互感作用，可以将其视为一对双导体传输线。根据电磁学基本原理，可知单位长度的电感L与互感M之间的关系为：L = M*2对于这个双导体传输线，互感M具体计算方法为：M = μ/π * {cosh^(-1)[(d+a)/|(d-a)|] - cosh^(-1)(d/|d-a|)}其中μ为磁导率，取真空磁导率；a为导体宽度，d为两导体距离。将互感M代入上式即可求得双导体传输线的单位长度电感L。【摘要】工程电磁场【提问】【提问】【提问】【回答】这是第二题的另一个思路，您也可以看一下由于两块导体平行且长度无限，根据对称性和安培环路定理，可以得到沿z轴方向的磁场强度H的分布情况如下：当|z|2)时，有H = (Ko/4)*(e^x-e^-x)当|z|>(d/2)时，有H = -(Ko/4)(e^x-e^-x)，其中x = 2π*y/a将上述式子代入单位制中的安培环路公式可以求出在任何位置z处的磁场强度H。对于第二个问题，由于两块导体之间存在互感作用，可以将其视为一对双导体传输线。根据电磁学基本原理，可知单位长度的电感L与互感M之间的关系为：L = M*2对于这个双导体传输线，互感M具体计算方法为：M = μ/π * {cosh^(-1)[(d+a)/|(d-a)|] - cosh^(-1)(d/|d-a|)}其中μ为磁导率，取真空磁导率；a为导体宽度，d为两导体距离。将互感M代入上式即可求得双导体传输线的单位长度电感L。【回答】您好，亲，老师为您第三题的解答来啦：回路C在分界面上方的自感相对于自由空间中的自感（Lo）的变化倍数为 (μ/μ2)^2根据无限长线电流对媒质分界面的镜像法，当电流线平行于分界面且向分界面趋近时，我们可以将电流线的镜像线考虑在另一侧的媒质中。在分界面上方（z > 0），磁导率为 μ，下方（z 0），磁导率为 μ2。对于回路C中的电流，我们可以将其视为两个部分：一部分电流位于上半空间中（z > 0），另一部分电流通过镜像法，镜像线位于下半空间中（z < 0）。由于电流线与分界面平行且向分界面趋近，根据镜像法，镜像线中的电流与原始电流相等，而它们所在的媒质的磁导率为 μ2。因此，回路C在上半空间中产生的磁场与镜像线在下半空间中产生的磁场完全相同。考虑到这一点，回路C在上半空间中的自感与镜像线在下半空间中的自感相等。由于自感与磁场的关系是正比的，且两个区域的磁导率不同，所以回路C在上半空间中的自感相对于自由空间中的自感将发生变化。我们可以利用以下比例关系来计算回路C在分界面上方的自感相对于自由空间中的自感（Lo）的变化：自感变化的倍数 = (磁场强度变化的倍数)^2 = (μ/μ2)^2因此，回路C在分界面上方的自感相对于自由空间中的自感（Lo）的变化倍数为 (μ/μ2)^2。【回答】您好，亲，老师为您整理第三题的第二个思路来啦：根据安培环路定理可得，穿过C回路的总磁通量Φ等于：Φ=(μI/2π) * L, 其中 I 是通过 C 回路的电流，L是 C 回路在自由空间中的自感。当 C 回路位于媒质分界面上方时，由于磁感线不允许从空气或媒质较小的区域进入媒质磁导率较大的区域中，因此必须存在一个图像电流使得其产生的镜像磁场和原有磁场在媒质分界面上相等。同理，当 C 回路位于媒质分界面下方时，也存在一个相应的图像电流产生的图像磁场。我们可以将存在的真实电流加上一个竖直向下的图像电流来模拟这样的情况，可以得到一个等效的电流环，该环只存在于媒质磁导率为μ的区域内，并且与 C 回路距离相等。根据电磁学的知识，自感与电流的平方成正比。设C回路和它的镜像在媒质磁导率为μ的区域内的自感分别为L1和L2，则：L1 = LoL2 = 2L1 = 2Lo而当 C 回路处于分界面上时，通过它的总电流均为 I/2，因此可以根据安培环路公式得到在媒质分界面上方和下方穿过 C 回路的磁通量分别为：Φ1= (μI/4π) * L1 + (μ2I/4π) * L2Φ2= (μ2I/4π) * L2 + (μI/4π) * L1化简可得：Φ1= (μI/4π) * 5LoΦ2= (μ2I/4π) * 3Lo因此，C回路在分界面上方的自感为:L1' = Φ1/I = (5μ/4π) * LoC回路在分界面下方的自感为:L2' = Φ2/I = (3μ2/4π) * Lo【回答】
