曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。
常见光源分为：
紫外光（UV），g线：436nmi线：365nm
深紫外光（DUV），KrF 准分子激光：248 nm， ArF 准分子激光：193 nm
极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
对光源系统的要求
a.有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小[波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高，因为衍射现象会更严重。
b.有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短
c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]
常用的紫外光光源是高压弧光灯（高压汞灯），高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的g 线（436 nm）或i 线（365 nm）。
对于波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光（248 nm）、ArF 准分子激光（193 nm）和F2准分子激光（157 nm）等。
曝光系统的功能主要有：平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。
